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            申請號: CN201910188514.7 全文下載
            申請日: 2019-03-13 公開/公告日: 2019-09-24
            公開/公告號: CN110277427A 主分類號: H01L27/32
            申請/專利權人: 三星顯示有限公司
            發明/設計人: 姜哲圭;崔相武;郭源奎;樸晉佑;李東鮮
            分類號: H01L27/32
            搜索關鍵詞: 半導體層 薄膜晶體管 顯示區域 顯示設備 基底 下電極 柵電極 電極 絕緣 氧化物半導體 存儲電容器 柵極絕緣層 硅半導體 同一層 疊置
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            【摘要】:
            提供一種顯示設備。所述顯示設備包括:基底,包括顯示區域;第一薄膜晶體管,布置在基底的顯示區域中,并且具有包括硅半導體的第一半導體層以及通過第一柵極絕緣層與第一半導體層絕緣的第一柵電極;第二薄膜晶體管,布置在基底的顯示區域中,并且具有包括氧化物半導體的第二半導體層以及與第二半導體層絕緣的第二柵電極;以及存儲電容器,與第一薄膜晶體管至少部分地疊置并且具有下電極和上電極,其中,第二半導體層與下電極和上電極中的一個布置在同一層上。
             
            【主權項】:
            1.一種顯示設備,所述顯示設備包括:基底,包括顯示區域;第一薄膜晶體管,布置在所述基底的所述顯示區域中,所述第一薄膜晶體管具有包括硅半導體的第一半導體層以及通過第一柵極絕緣層與所述第一半導體層絕緣的第一柵電極;第二薄膜晶體管,布置在所述基底的所述顯示區域中,所述第二薄膜晶體管具有包括氧化物半導體的第二半導體層以及與所述第二半導體層絕緣的第二柵電極;以及存儲電容器,與所述第一薄膜晶體管至少部分地疊置,所述存儲電容器具有下電極和上電極,其中,所述第二半導體層與所述下電極和所述上電極中的一個布置在同一層上。
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